در این مقاله، با استفاده از نگاشت های مختلف آشوبی، موج های حامل متفاوت آشوبی معرفی و بر آن اساس مدولاسیون های مختلف سینوسی آشوبی ارایه شده است. بعد فراکتال سیگنال های حاصل از مدولاسیون های مذکور جهت ارزیابی میزان آشوبی بودن آنها تعیین شده و با استفاده از یک مدل فشرده مداری، آثار مدولاسیون های مذکور بر تداخل الکترومغناطیسی مد مشترک و تفاضلی و ولتاژ یاتاقان (محور) محرکه های القایی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج حاصل از مدلسازی، به همراه نتایج حاصل از سیستم آزمایشگاهی نشان می دهد، مدولاسیون های عرض پالس سینوسی آشوبی بدون تغییر موثر در میزان ولتاژ در یاتاقان های محرکه های القایی، موجب کاهش موثر تداخل الکترومغناطیسی مد مشترک در آنها می شود.

یکی از مهم ترین بخش های سامانه لورن، مولد سیگنال ارسالی است که نقش آن تولید پالس های با توان بالا و شکل موج استاندارد است و برای ساخت آن روش های متعددی وجود دارد. یکی از این روش ها استفاده از تقویت کننده های سوئیچنگ مبتنی بر مدولاسیون عرض پالس((PWM)) است. در این مقاله اصلاح تقویت کننده های (PWM) ساده به تقویت کننده های (PWM) چندسطحی (با تعداد سطوح بهینه) جهت به کارگیری در فرستنده های لورن مورد توجه است. به همین منظور برای ایجاد توان MW1 از سه تا یازده سطح(PWM) با استفاده از 16 بلوک تقویت کننده کلاس D با ثابت نگه داشتن تعداد المان های قدرت و در نظر گرفتن شرایط و ملاحظات پیاده سازی سخت افزاری شبیه سازی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازی ها در بهترین حالت (11 سطحی) حداکثر خطای عبور از صفر در نیم سیکل چهارم تا دوازدهم ns6/16و پهنای باند آن kHz5 است. همچنین MMSE و حداکثر خطای نقاط اوج در هشت نیم سیکل اول به ترتیب 0/009 و 0/02221 است که استانداردهای موردنیاز را تامین می کند.

در این مقاله ساختار کنترلی با عملکردی مقاوم در حضور عدم قطعیت های پارامتری سیستم جهت بهبود مشخصات اینورتر سینوسی خالص در تمامی شرایط عملکردی و بارگذاری ارائه شده است. کنترل کننده رفتار سریع و دقیق مبدل در شرایط مختلف بارگذاری جهت افزایش کیفیت ولتاژ و کاهش هارمونیک های خروجی را تضمین می کند. این کنترل کننده با یک عملکرد لغزشی و با بهره گیری از ولتاژ خروجی و جریان خازن در فرایند کنترل، علاوه بر ایجاد یک تعقیب دقیق ولتاژ خروجی از مرجع، توانایی دفع اغتشاشات پریودیک ناشی از بارگذاری را به طور مطلوب دارد. همچنین حالت های خطا را در سریع ترین زمان ممکن به سمت صفر برده و حالت های گذرای بسیار مطلوبی را در لحظات بروز خطا که همان لحظات اسپایک های شدید و دامنه های بزرگ جریان در خروجی می باشد را به همراه دارد. از دیگر ویژگی های کنترل کننده ارائه شده افزایش وسعت ناحیه پایداری تحت محدوده وسیعی از بارگذاری در شرایط مختلف می باشد. درستی عملکرد کنترل کننده پیشنهادی بر روی یک اینورتر سه سطحی NPC تک فاز که دارای حساسیت بالایی در امر کنترل به منظور افزایش کیفیت، کاهش هارمونیک و THD موج خروجی می باشد با یک کنترل کننده مد لغزشی تک شیب با همان مشخصات بارگذاری و مرجع مقایسه شده است.

در یک محیط پرتراکم جنگ الکترونیک سیگنال های راداری زیادی وجود دارند. یک رادار می تواند دارای مدولاسیون ها و مقادیر فاصله تکرار پالس متنوعی باشد. شناسایی و تعیین این مدولاسیون ها و مقادیر تکرار پالس در سیستم پشتیبان جنگ الکترونیک بسیار مهم است. در این مقاله روشی برای تخمین مقدار سطوح فاصله تکرار پالس ارایه و بررسی شده است. همچنین، بسط ریاضی تابع خود همبستگی بایاس شده انواع رشته فاصله تکرار پالس به دست آورده شده است و با استفاده از خواص تابع خود همبستگی بایاس شده رشته فاصله تکرار پالس و خوشه بندی سلسله مراتبی آن، روشی جدید برای تشخیص مدولاسیون فاصله تکرار پالس و مقدار سطوح آن پیشنهاد شده است. با استفاده از شبیه سازی عملکرد روش ارایه شده بررسی و مورد ارزیابی قرار گرفته است.

اخیرا در طراحی مبدلهای DC به AC به منظور دستیابی به کارآیی بهتر، بازدهی بالاتر و چگالی توان مطلوب از روشها و تکنیک های سوئیچینگ نرم، استفاده می شود. یکی از روشهای سوئیچینگ نرم در اینورترها، استفاده از لینک DC رزونانسی است. توپولوژیهای بالینک DC رزونانسی در اینورترها مشکلاتی از قبیل ماکزیممهای نامنظم جریان، ماکزیمم بزرگ ولتاژ، غیر قابل کنترل بودن پهنای پالس و ... دارند. نمونه دیگری از اینورترهای با سوئیچینگ نرم، اینورترهای با لینک شبه رزونانسی اند که قابلیت مدولاسیون (PWM) را دارند. اینورترهای با لینک DC شبه رزونانسی سری و موازی با استفاده از یک تعداد صحیح از پالسهای شبه سینوسی جریان و ولتاژ (به ترتیب) مدولاسیون (PWM) را تحقق می بخشند. در این مقاله یک اینورتر با لینک dc شبه رزونانسی سری جدید ارائه شده است. این توپولوژی ایورترهای منبع جریان را به داشتن مشخصاتی از قبیل محدود بودن ماکزیمم پالس رزونانسی، قابل کنترل بودن پهنای پالس، ... قادر می کند. این مدار قابلیت (PWM) را در دو تا سه ناحیه برای اینورتر فراهم می کند که این مسئله باعث بالا رفتن قابلیت کنترل زمان سوئیچینگ در محدوده وسیعتری می شود. وضعیت های مختلف عملکرد این لینک dc شبه رزونانسی جدید بررسی و سپس تلفات آن محاسبه شده است. در پایان نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار PSPICE برای اثبات صحت تحلیل ارائه شده است.

برای طراحی فرستنده سوییچینگ لورن مبتنی بر مدولاسیون عرض پالس ((PWM)) چند سطحی، سناریو های مختلفی برای چیدمان تقویت کننده ها و تعداد سطوح مدولاسیون وجود دارد که باید در ابعاد مختلف مورد بررسی قرار گیرند. قابلیت پیاده سازی، تحقق استانداردهای پالس لورن و تحلیل قابلیت اطمینان سه مشخصه مهم در این زمینه هستند. در این مقاله با استفاده از نتایج شبیه سازی، قابلیت اطمینان انواع مولدهای لورن حلقه باز مبتنی بر سوییچینگ عرض پالس با تعداد سطوح مختلف به کمک شاخص کلی اثربخشی (OMOE) بررسی شده است. برای این کار با انتخاب مشخصه های اساسی و تعیین وزن هرکدام از آن ها، مقدار هدف و کمینه قابل قبول هر مشخصه بر مبنای استانداردهای لورن تعیین و OMOE بر مبنای سناریوهای مورد نظر به دست آمده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد آرایش مدولاسیون عرض پالس نه سطحی با OMOE به میزان 573/0، 506/0 و 451/0 به ترتیب برای حالت های بدون بلوک آسیب دیده، یک و دو بلوک آسیب دیده با میانگین 510/0 بهینه ترین ساختار از نظر قابلیت اطمینان است. در مدولاسیون دامنه و مدولاسیون عرض پالس با هفت و یازده سطح، میانگین این شاخص برای سه حالت مذکور به ترتیب برابر 455/0، 463/0 و 485/0 می باشد که مقدار کمتری نسبت به ساختار بهینه دارند.

در این مقاله، خصوصیات ترموالکتریکی ساختارهای مبتنی بر گرافن با استفاده از روش تنگ-بست و به کارگیری روابط لاندائور-بوتیکر مورد بررسی قرار گرفته اند. هرچند کاهش عرض نوار گرافنی می تواند منجر به افزایش ضریب شایستگی ترموالکتریکی شود، طراحی مناسب نانوساختار همچنان امکان پذیر است. برطبق نتایج به دست آمده مشخص شد که با تغییر متناوب عرض نوار که به عنوان مدولاسیون عرض نوار نیز شناخته می شود، می توان ضرایب شایستگی ترموالکتریکی را تا دوبرابر مقدار مربوط به نوار با عرض باریک افزایش داد. همچنین نتایج نشان می دهند درصورتی که تغییر عرض نوار به صورت تدریجی ایجاد شده باشد، ضرایب شایستگی ترموالکتریکی تا سه برابر مقدار مربوط به نوار با عرض باریک قابل دستیابی است. علت این افزایش را می توان بیشتر شدن شکاف انرژی و درنتیجه، افزایش ضریب سیبک و فاکتور توان و همچنین کاهش هم زمان هدایت حرارتی بیان نمود.